10月24日,全球領(lǐng)先的智能終端制造商OPPO發(fā)布了最新的旗艦手機 Find X8/X8 pro,主打輕薄直屏和影像旗艦,天璣9400處理器與潮汐引擎的超強配置,配合冰川電池與極速充電技術(shù),能夠為用戶帶來流暢的操作體驗和持久的續(xù)航表現(xiàn)。

據(jù)了解,OPPO 此次發(fā)布的Find X8/X8 pro系列手機采用了英諾賽科全鏈路氮化鎵(AllGaN)技術(shù),從電源側(cè)的快速充電(80W超級閃充和50W無線充)到手機內(nèi)部主板的充電過壓保護(OVP),均采用了英諾賽科氮化鎵。

據(jù)悉,英諾賽科是全球功率半導體革命的領(lǐng)導者,也是全球最大的氮化鎵芯片制造企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈商業(yè)模式,并在全球范圍內(nèi)首次實現(xiàn)了先進的8英寸氮化鎵量產(chǎn)工藝,是全球氮化鎵行業(yè)的龍頭企業(yè),于2023-2024年,連續(xù)2年入選“胡潤全球獨角獸榜”。

英諾賽科的氮化鎵產(chǎn)品用于各種低中高壓應用場景,產(chǎn)品研發(fā)范圍覆蓋15V至1200V,涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組,并為客戶提供全氮化鎵解決方案。成立至今,英諾賽科擁有近700項專利及專利申請,產(chǎn)品可廣泛應用于消費電子、可再生能源及工業(yè)應用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域。

全鏈路氮化鎵(AllGaN)技術(shù)

第三代半導體氮化鎵材料具備高能效、高頻率的特性,能夠打造體積更小、充電更快且安全性更高的產(chǎn)品。

OPPO 在Find X8/X8 pro系列手機主板充電過壓保護和50W無線充產(chǎn)品中,采用了英諾賽科40V雙向?qū)ㄐ酒琕GaN,一顆替代兩顆背靠背的 Si MOS,大大簡化了內(nèi)部空間,使產(chǎn)品設(shè)計更加輕薄。同時,VGaN 具備雙向?qū)ɑ蜿P(guān)斷的特性,能在手機充電過程中對電池進行主動保護,增強了安全性和使用壽命。50W無線充更是滿足了用戶隨時隨地快速充電的需求。

充電側(cè)的超級閃充則采用了英諾賽科高壓GaN,該芯片采用TO-252 封裝,阻抗更低,散熱更強,效率更高。根據(jù) OPPO 官方數(shù)據(jù)對比,采用英諾賽科高壓 GaN 的80W 超級閃充與此前標配的80W適配器相比,體積減小約18%,隨身攜帶更方便。

全球領(lǐng)先的智能終端制造商選擇與英諾賽科長期深度合作,體現(xiàn)了其對創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品性能的信心和決心。據(jù)了解,該廠商已有多個系列產(chǎn)品(包括 Find X7/X8/Ultra,Realme GT 系列,一加 Ace 系列,以及 50W~150W 快充)的主板和充電器均采用了英諾賽科 AllGaN 技術(shù),實現(xiàn)了產(chǎn)品性能與競爭力的領(lǐng)先。

氮化鎵賦能未來,共促行業(yè)創(chuàng)新

氮化鎵材料以其高頻、高電子遷移率、強抗輻射能力及低導通電阻等卓越特性,正逐步改變功率半導體行業(yè)格局。權(quán)威機構(gòu)預測,2023年至2028年間,全球氮化鎵功率半導體市場規(guī)模將實現(xiàn)指數(shù)級增長,復合年增長率高達98.5%,市場潛力巨大。

作為全球功率半導體革命的先驅(qū),英諾賽科持續(xù)引領(lǐng)氮化鎵功率半導體行業(yè)進入加速發(fā)展階段,弗若斯特沙利文預計至2028年,全球市場規(guī)模將達到501.4億元人民幣。

占據(jù)優(yōu)勢賽道,據(jù)悉,英諾賽科最近三年業(yè)務高速增長,收入由2021年的6821.5萬元(人民幣,下同)增加至2023年的5.9億元,2021年-2023年,收入復合年增長率高達194.8%。

一方面全球氮化鎵下游應用進入爆發(fā)期,需求端強力拉動,另一方面得益于公司長期富有遠見的戰(zhàn)略布局,英諾賽科采用IDM模式,在產(chǎn)品設(shè)計、工藝制造、測試及下游應用等方面持續(xù)大量投入,確立了獨特且無可比擬的技術(shù)領(lǐng)先地位及綜合運營優(yōu)勢,能夠有效滿足市場強勁需求。

作為第三代半導體氮化鎵革命的領(lǐng)導者,未來,英諾賽科將持續(xù)深耕,期待以更加卓越的技術(shù),助力更多行業(yè)廠商,打造更極致更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品,共同推動行業(yè)創(chuàng)新及應用。

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