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中信證券:美國對華先進(jìn)存儲限制再加碼,倒逼高端存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)加速

2025-01-18 09:52    來源: 云財經(jīng)    影響力評估指數(shù):22.53   消息收藏夾   收藏 已收藏
云財經(jīng)訊,中信證券研報表示,1月15日晚間,BIS修訂了《出口管理?xiàng)l例》(EAR),修改DRAM先進(jìn)存儲定義,工藝節(jié)點(diǎn)仍為18nm,存儲單元面積及存儲密度由24年12月的1ynm變?yōu)?xnm,同時增加TSV通孔數(shù)限制,對HBM和先進(jìn)DRAM的限制再加碼,倒逼產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化加速。本次限制針對制造廠商及供應(yīng)鏈,設(shè)計廠商業(yè)務(wù)正常開展,我們看好高端定制存儲業(yè)務(wù),持續(xù)推薦。同時我們認(rèn)為,后續(xù)在本土高端封測廠商和設(shè)備廠商的配合下,國內(nèi)DRAM原廠有望突破HBM,布局相關(guān)環(huán)節(jié)的廠商有望核心受益,看好高端存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代。
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